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  IRF540NPBF單N溝道功率MOSFET 2024-09-11 09:17:13

  IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的N溝道功率MOSFET，額定電壓為100V，最大漏極電流33A，功耗140W，結(jié)溫175°C，具有寬安全工作區(qū)和高電流處理能力。該器件優(yōu)化了低頻應用性能，符合JEDEC標準，廣泛應用于直流電機驅(qū)動、逆變器、開關電源、照明系統(tǒng)和負載開關等高功率場景。

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  VY1222M47Y5UQ6TV0陶瓷圓片電容器VISHAY 2024-07-22 10:22:18

  VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生產(chǎn)的高頻陶瓷圓片電容器，電容值0.0022uF，公差±20%，采用徑向端接，引線直徑0.6毫米，間距10毫米。設計由兩面鍍銀的陶瓷盤組成，連接引線為鍍錫銅包鋼，封裝為阻燃環(huán)氧樹脂，符合UL 94 V-o標準。符合IEC 60384-14標準，適用于X1和Y1類安全電容器，主要用于行對行濾波、線路對地濾波、主輔耦合、EMI/RFI抑制和濾波等。