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  Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進制MOS電容器 2024-11-06 09:09:59

  Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數、Q值、溫度系數和工作溫度范圍等。

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  vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片 2025-03-18 09:14:46

  vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進制 MOS 電容芯片，每片包含五個以二進制增量排列的不同容量電容，提供多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 的先進薄膜技術制造，經過 100% 電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標準。CBB 和 CBC 分別具有 0402 和 0404 封裝，容量范圍分別為最高 31 pF 和 93 pF，采用二氧化硅介質材料和半導體硅基底，背面鍍金，具有低介質損耗。它們設計用于通過線鍵合技術調整混合電路中的電容。