SD11906/SD11907/SD11956和SD11957 1200V碳化硅SiC半橋功率模塊
發(fā)布時間:2024-02-20 11:46:51 瀏覽:472
Solitron Devices 推出的 SD11906、SD11907、SD11956 和 SD11957 1200V 碳化硅 (SiC) 半橋功率模塊,以最大限度地發(fā)揮 SiC 的優(yōu)勢,具有獨特的穩(wěn)健、簡單且具有成本效益的模塊格式。37mm x 25mm x 9mm 的外形只是競爭模塊尺寸和重量的一小部分。這種集成格式可最大限度地提高功率密度,同時通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低,從而實現(xiàn)簡單的電源總線。
SD11906/07/56/57 是半橋配置,具有兩個 1200V、低電阻DS(開)13mΩ SiC MOSFET。SD11906和SD11956具有續(xù)流 1200V SiC 肖特基二極管,與模塊內(nèi)部的 MOSFET 并聯(lián)。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開,以簡化電路板布局。
該系列專為要求苛刻的應(yīng)用而設(shè)計,例如基于航空電子設(shè)備的機電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器。工作溫度為 -55°C 至 175°C,結(jié)構(gòu)包括銅基板和氮化鋁絕緣體,確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度傳感可在SD11906和SD11907上提供高水平的溫度保護。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關(guān)性能,且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低,效率水平比硅更高,因此在打開和關(guān)閉階段需要的開關(guān)功率更高,所需的能量更少。結(jié)合高開關(guān)頻率,這意味著磁性元件更小,大大減輕了系統(tǒng)重量和尺寸。
相關(guān)產(chǎn)品推薦:
更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
DEI? DEI5x7x系列CMOS集成電路是制作應(yīng)用于直接控制ARINC429航空電子串行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線的線路驅(qū)動器。DEI DEI5x7x系列將TTL/CMOS串行輸入數(shù)據(jù)交換為ARINC數(shù)據(jù)總線的三電平RZ雙極性差分調(diào)試格式。
DEI0429-WMB 是一款航空電子專用的 ARINC 429 線路驅(qū)動器,支持高速(100 kHz)和低速(12.5 kHz)數(shù)據(jù)傳輸,兼容 TTL 和 CMOS 輸入。它具有低功耗、可調(diào)轉(zhuǎn)換速率、過壓保護、寬溫度范圍(-55°C 至 +125°C)和兩種工作模式(429 和 422 模式),適用于飛機通信、導(dǎo)航和控制系統(tǒng)。封裝為 16 引腳陶瓷 SOICW。
在線留言
真人做受120分钟免费看,国产AV亚洲精品久久久久久小说,午夜福利视频,中字幕视频在线永久在线观看免费