- 產(chǎn)品詳情
RIC7S113：抗輻射高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，適用于太空等環(huán)境。
功能特點(diǎn)：
1. 獨(dú)立高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，±5V偏置電壓。
2. 節(jié)省空間和重量，無(wú)需柵極驅(qū)動(dòng)變壓器。
3. 欠壓鎖定、CMOS施密特觸發(fā)輸入。
4. 匹配傳播延遲、邊沿觸發(fā)、集成電平轉(zhuǎn)換。
5. 密封包裝、抗輻射、單粒子效應(yīng)硬度。
6. 安全工作區(qū)定義、瞬態(tài)抗擾度。
7. 應(yīng)用：衛(wèi)星、功率調(diào)節(jié)、配電、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
| Orderable part number | Package type | Device class | Total ionizing dose leve | Temperature range (℃) | ||||
| RIC7S113A4SCS | Flatpack | Level S1 | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113A4SCB | Flatpack | Level B1 | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113A4 | Flatpack | COTS | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113C4CDK | Die | Class K1 | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113C4CDH | Die | Class H2 | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113C4CDV | Die | Visual Inspection Only | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113E4SCS | LCC CIC | Level S' | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113E4SCB | LCC CIC | Level Bl | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113E4 | LCC CIC | COTS | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113L4SCS | MO-036AB CIC | Level S | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113L4SCB | MO-036AB CIC | Level B1 | 100krad(Si | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113L4 | MO-036AB CIC | COTS | 100krad(Si) | -55 to 125 | ||||
| RIC7S113EVAL1 | Evaluation Board | |||||||
